| 品牌 | 其他品牌 | 產地類別 | 進口 |
|---|---|---|---|
| 空間分辨率 | 橫向 XY：MIN 200nm（隨探測距離變化）；深度 Z：MIN 1μm | 成像視場 | 單次MAX 4mm×4mm，支持多圖拼接擴展 |
| 磁場探測性能 | DC 噪聲基底 150nT；DC 靈敏度 10 μT/√Hz；AC 路線圖 10nT 噪聲、1nT/√Hz 靈敏度 | 頻率范圍 | DC～4GHz AC |
| 標準測量時長 | 5–10 分鐘 | 機械載臺 | XYZ 行程 300×300×20mm |
| 整機物理參數 | 尺寸 0.7m×0.7m×1.7m，重量≈350kg，風冷散熱，峰值功耗 2kW | 使用環境 | 室溫常壓，溫度 15–40℃，配套減震光學平臺 |
昊量光電/星朗浩宇超分辨率量子顯微鏡
不需要真空、不需要低溫，常溫常壓工作；磁場可穿透硅基板、塑封、金屬薄層，實現芯片內部埋藏線路無損檢測
昊量光電推出Quantum Diamonds GmbH商用化 NV 金剛石量子磁場成像設備廠商，聚焦半導體封裝失效分析的昊量光電/星朗浩宇超分辨率量子顯微鏡。利用金剛石內部氮 - 空位色心（NV Center）固態量子自旋作為納米磁場傳感器，實現寬視場、非破壞、穿透式電流 / 磁場成像。依托金剛石氮 - 空位（NV）量子色心磁場探測，主打異構集成、3D 封裝芯片無損失效分析
該產品核心的工作原理：MCI 磁電流成像 + NV 量子金剛石傳感
底層量子傳感基礎：設備核心傳感器為人工合成金剛石內部的氮 - 空位（NV）原子缺陷，NV 色心具備室溫穩定量子自旋特性，對微弱磁場高度敏感，依靠光學檢測磁共振（ODMR） 將芯片電流產生的磁場轉化為光學熒光信號，實現磁場定量成像。
MCI 多層磁電流成像流程：
1.全域磁場采集：一次性捕獲多層堆疊芯片同時通電產生的疊加總磁場圖譜；
2.分層磁場剝離：搭載自研機器學習算法，從混合總磁場中分離出每一層金屬布線對應的獨立磁場分布；
3.電流密度重建：反演計算每層布線真實電流分布，輸出彩色云圖電流成像，直觀定位短路、開路、漏電缺陷。
該產品核心的技術優勢：
磁場無遮擋穿透：磁場可無損穿透 cmos 硅、金屬、封裝樹脂等所有半導體材料，無需研磨、切片、逐層剝層；
純室溫常壓工作：無需低溫制冷、真空腔體，常規實驗室環境即可穩定運行；
電性缺陷可視化：X 射線 CT 僅能看物理結構、熱成像 LIT 僅捕捉發熱點，本設備直接成像電流路徑，可檢出無發熱的隱性開路、微短路、高阻漏電。
產品核心功能與特點：
多層堆疊芯片 3D 失效精密定位
極低樣品制備門檻
AI 驅動一體化分析軟件
寬頻、高靈敏度磁場探測
高穩定工業級整機設計
行業應用場景：
2.5D/3D 封裝、芯粒（Chiplet）失效分析：針對 HBM、CoWoS、中介層、混合鍵合堆疊芯片，解決垂直互連、層間短路、通孔開路等傳統設備無法分層定位的缺陷；客戶實測可將原本數周的故障排查縮短至十幾分鐘，中國臺灣頭部晶圓廠評價其可實現完整堆疊結構無損高精度缺陷檢測。
背面供電（Backside Power Delivery）芯片檢測：雙面金屬化芯片上下層布線互相遮擋，熱成像、光學檢測無法穿透背面金屬層；本設備依靠磁場穿透特性，無損檢測雙面供電網絡完整性，定位背面金屬布線漏電、斷路。
寬禁帶功率半導體（GaN、SiC）：新能源、快充、車載功率器件普遍采用硅 + 寬禁帶堆疊結構，高頻大功率工況下易產生新型層間失效；QD m.0 可精密映射功率回路電流分布，定位功率器件微短路、導通異常。
新材料科學表征：用于二維材料、固態電解質等新型材料電學特性表征，通過磁場反演電流密度分布，微米級成像材料內部導電缺陷，支撐新材料研發。
超分辨率量子顯微的參數：
| 空間分辨率 | 橫向 XY：MIN 200nm（隨探測距離變化）；深度 Z：MIN 1μm |
| 成像視場 | 單次MAX 4mm×4mm，支持多圖拼接擴展 |
| 磁場探測性能 | DC 噪聲基底 150nT；DC 靈敏度 10 µT/√Hz；AC 路線圖 10nT 噪聲、1nT/√Hz 靈敏度 |
| 頻率范圍 | DC～4GHz AC |
| 標準測量時長 | 5–10 分鐘 |
| 機械載臺 | XYZ 行程 300×300×20mm |
| 整機物理參數 | 尺寸 0.7m×0.7m×1.7m，重量≈350kg，風冷散熱，峰值功耗 2kW |
| 使用環境 | 室溫常壓，溫度 15–40℃，配套減震光學平臺 |
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