| 品牌 | 昊量光電 | 供貨周期 | 現(xiàn)貨 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 | 產(chǎn)品類型 | 透射式/反射式X射線光柵 |
| 柵距范圍 | 40nm-8μm | 線密度 | 250-50000線/mm |
| 膜層材料 | 金/鎳/鉑/鎢/釕 | 基底材料 | Si3N4/SiC/Si/玻璃 |
| 膜厚范圍 | 50nm-1000nm | 加工分辨率 | 半節(jié)距20nm |
| 工作能量 | 20eV-1500keV |
昊量/星朗 定制透射和反射X射線光柵
昊量/星朗 定制透射和反射X射線光柵（個性化定制全場景適配）
應(yīng)用納米工具（Applied Nanotools Inc.，簡稱ANT）成立于2002年，是納米微納加工、集成光子芯片與X射線光學(xué)元器件專業(yè)代工廠，深耕電子束光刻微納制造領(lǐng)域二十余年，專注為科研機構(gòu)、光學(xué)實驗室、半導(dǎo)體及光通信企業(yè)提供超高精度納米結(jié)構(gòu)加工、定制光學(xué)器件研發(fā)與小批量量產(chǎn)服務(wù)，助力前沿成像、傳感、光通信、高性能計算等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)突破。
該產(chǎn)品簡介一：
是一種允許光線通過并產(chǎn)生衍射效應(yīng)的光學(xué)元件。它通常由一系列平行且等間距的刻線或狹縫組成，這些刻線或狹縫可以透光，而它們之間的區(qū)域則不透光。當(dāng)入射光穿過透射光柵時，光線會在每個刻線或狹縫處發(fā)生衍射，形成多個衍射級次。這些衍射光束在空間中相互干涉，形成特定的衍射圖案，從而實現(xiàn)對光的色散和分析。廣泛應(yīng)用于光譜儀、分光光度計等光譜分析儀器中；也用于干涉測量、全息術(shù)等領(lǐng)域中的高精度測量和成像任務(wù)。
該產(chǎn)品簡介二：
是一種利用鏡面反射原理使光線產(chǎn)生衍射效應(yīng)的光學(xué)元件。它的表面通常鍍有一層金屬膜或其他高反射材料，以提高反射效率。反射光柵同樣由一系列平行且等間距的刻線或凹槽組成，但這些刻線或凹槽是刻在反射面上，而不是穿透整個元件。當(dāng)入射光照射到反射光柵上時，光線在每個刻線或凹槽處發(fā)生反射和衍射。這些反射和衍射光束在空間中相互干涉，形成特定的衍射圖案。由于反射光柵利用了鏡面反射原理，因此它可以更有效地利用光能，減少能量損失。常用于天文望遠(yuǎn)鏡、激光測距儀等高精度光學(xué)儀器中；也適用于大型光學(xué)系統(tǒng)中的光束控制和校準(zhǔn)任務(wù)。
定制用于極紫外光和高能X射線系統(tǒng)的透射光柵。我們的直接寫入、快速穿插工藝允許從數(shù)百微米到毫米的更高分辨率光柵。各種金屬可以在 Si3N4、SiC 或Si 的薄膜上制造。
該產(chǎn)品簡介三：
針對 X 射線波段設(shè)計的衍射光學(xué)元件，利用周期性微納結(jié)構(gòu)對 X 射線發(fā)生衍射、分光、偏轉(zhuǎn)、調(diào)制，核心分為透射式和反射式兩大類。透射 X 射線光柵是X射線直接穿過光柵基底完成衍射的，可用于軟X射線、X 射線成像、光譜探測、脈沖整形等。反射X射線光柵是 X 射線以掠入射角度打在光柵表面，反射后發(fā)生衍射，主流用于同步輻射、X 射線光譜儀、EUV、高能光束線。
該產(chǎn)品的優(yōu)勢
·高分辨率
分辨率可達(dá)半節(jié)距 20 納米，等效 50000 線對/毫米。
·定制膜方案
光柵可以制造在硅基或玻璃基材上。對于透射光柵，可用的基材包括薄層氮化硅、碳化硅或厚度在50 納米至1000 納米之間的硅膜，基材可以根據(jù)應(yīng)用需求選擇。
·高深寬比
高分辨率直寫圖形工藝可制備定制化結(jié)構(gòu)及適用于硬 X 射線領(lǐng)域的高效率光柵。支持金、鎳、鉑、鎢等金屬材料，可實現(xiàn)正膠圖形與負(fù)膠圖形兩種光刻模式。
·定制化應(yīng)用
我們的定制光柵可應(yīng)用于同步輻射裝置及實驗室設(shè)備，適配多種使用場景。
柵格設(shè)計參數(shù)展示（可根據(jù)要求定制設(shè)計）
器件 | 基底材料 | 膜厚度 | 柵距 | 線密度/mm | 刻線與縫隙/mm | 膜層 | 面積 | 設(shè)計工作能量 |
500um-80nm-鎢 | 鎢 | 100nm | 80 nm | 25000 | 12500 | 50-100納米氮化硅 | 500微米× 500微米 | 200-1000 eV |
500um-80nm-鎢 | 釕 | 55-150 nm | 40 nm | 50000 | 25000 | 50-100納米碳化硅 | 500微米× 500微米 | 20-1000 eV |
1000um-80nm-鎢 | 鎢 | 100nm | 80 nm | 25000 | 12500 | 50-100納米氮化硅 | 1000微米× 1000微米 | 200-1000 eV |
500um-50nm-金 | 金 | 150-200 nm | 50 nm | 40000 | 20000 | 50-100納米氮化硅 或碳化硅 | 500微米× 500微米 | 200-1500 keV |
1000um-50nm-金 | 金 | 150-200 nm | 50 nm | 40000 | 20000 | 50-100納米氮化硅或碳化硅 | 1000微米× 1000微米 | 200-1500 keV |
2mm-2um-金 | 金 | 4-5μm | 4μm | 500 | 250 | 100-1000納米氮化硅或碳化硅 | 2毫米× 2毫米 | 3-12 keV |
4 mm-2um-金 | 金 | 4-5μm | 4μm | 500 | 250 | 100-1000納米氮化硅或碳化硅 | 2毫米× 2毫米 | 3-12 keV |
2 mm-4um-金 | 金 | 6-8μm | 8μm | 250 | 125 | 硅或硅片 | 2毫米× 2毫米 | 8-20 keV |
上海市徐匯區(qū)虹梅路2007號6號樓3樓
info@auniontech.com
